運(yùn)營商世界網(wǎng) 李博 /文

鎂光（Micron）芯片研發(fā)公司近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上公布了他們的首款3D NAND閃存芯片，這種閃存芯片能在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。

據(jù)報(bào)道，鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB，其目標(biāo)市場為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。

目前像三星 Galaxy S7 edge、蘋果 iPhone 6s這類的頂級移動終端使用的均為UFS 2.0閃存顆粒，鎂光的UFS 2.1閃存顆粒在性能上能得到進(jìn)一步突破。

與傳統(tǒng)的2D NAND水平排布儲存單元不同，3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。 3D NAND閃存芯片技術(shù)并非鎂光獨(dú)有，英特爾和三星都已經(jīng)在SSD上應(yīng)用了這種技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品的容量只會越來越大。

“隨著我們針對移動細(xì)分市場推出3D NAND和UFS產(chǎn)品，Micron將繼續(xù)推進(jìn)NAND技術(shù)，”Micron移動事業(yè)部副總裁Mike Rayfield表示?！?D NAND性能更優(yōu)異、容量更大、可靠性更高，因此能幫助我們的客戶滿足移動存儲領(lǐng)域日益增長的需求，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更加卓越的最終用戶體驗(yàn)?！?/span>

鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內(nèi)智能手機(jī)的內(nèi)存容量可能會達(dá)到如今PC的水平，具體來說，大概在2020年就會觸及1TB。不過，這家公司并未透露自家用于移動設(shè)備3D閃存芯片的發(fā)展路線圖。

“3D NAND技術(shù)對于智能手機(jī)以及其他移動設(shè)備的持續(xù)發(fā)展至關(guān)重要，”Forward Insights的創(chuàng)始人兼首席分析師Greg Wong說道?！半S著5G的到來，以及移動對人們數(shù)字生活的影響不斷增大，智能手機(jī)制造商需要具備最先進(jìn)的技術(shù)來存儲和管理日益增多的數(shù)據(jù)。Micron移動3D NAND為高清視頻、游戲和攝影提供了更加無縫的用戶體驗(yàn)，非常適合于滿足市場不斷發(fā)展的數(shù)據(jù)存儲需求?！?/span>